我国首个EUV光刻胶标准立项。
国家标准委网站显现，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶检验方法》作为拟立项标准，10月23日初步公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包含上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。
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作为我国首个EUV光刻胶标准，具有重要的现实意义。该标准的制定不只可以添补国内在该领域的技术标准空白，更将经过树立一致的检验方法体系，为国内外EUV光刻胶的功用点评供应客观标尺。
详细而言，标准施行后将完结三大方针：一是推进检验数据互认，下降晶圆厂对国产材料的导入风险；二是促进检验设备国产化代替，有用紧缩研制成本；三是加速完结从“进口依靠”到“自主可控”的工业跃迁。
该标准的制定为我国EUV光刻胶要害中心技术的打破供应标准化支撑，推进国内高端光刻胶工业完结高质量可持续开展，提高我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。
国产化率为0
EUV光刻胶是极紫外光刻的要害材料，作业波长为13.5nm，首要运用于7nm及以下制程的集成电路制造，是完结先进逻辑芯片、高端存储芯片等细微化、高功用芯片出产的不可或缺的材料。
其时，跟着全球半导体工业向先进制程加速演进，EUV光刻技术已成为7 nm及以下节点的唯一量产计划。但是，EUV光刻胶彻底被国外先进半导体材料公司所垄断（JSR、东京应化等占有逾越95%全球市场份额），国产化率为零，国内的研制也仍处于起步阶段，亟需打破材料自主化与标准化壁垒。
目前，国内在EUV光刻胶检验领域尚未树立一致的技术标准，现有检验方法多沿用国外企业标准，导致在灵敏度（E0）、线边际粗糙度（LER）等中心功用目标的检测流程上缺少标准化，这不只使得国产材料的验证周期长达1~2年，更严峻约束了我国光刻胶工业的自主立异开展。
标准的一致可明确光刻胶各项功用的最低要求和检验方法，确保不同批次、不同供货商的光刻胶能安稳适配EUV光刻机，避免因材料不坚定导致芯片图画缺点。同时，减少芯片制造企业的适配检验成本，下降因材料不兼容引发的出产中止风险，提高先进制程芯片的良品率。
技术不断打破
作为半导体制造的要害材料，光刻胶国产化受到方针的高度重视，《“十四五”原材料工业开展规划》将光刻胶列入新材料打破要点种类。
近期，EUV光刻胶基础研讨不断获得打破，北京大学、南开大学、华东理工大学、清华大学均有相关研讨效果出炉。
据科技日报报导，近来，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者经过冷冻电子断层扫描技术，初度在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开宣布可明显减少光刻缺点的工业化计划。
10月16日，南开大学现代光学研讨所发布消息，其研讨团队在氧化钛团簇光刻材料领域获得重要开展，成功完结原本光刻慵懒的钛氧簇表现出纳米图画化运用，并毕竟制备出12.9纳米高分辩负性光刻图画，为继续开展钛氧簇基EUV光刻胶奠定基础。
9月19日，华东理工大学发布消息称，该校先进光刻胶薄膜堆积制备研讨获开展，提出了一种间歇性旋涂化学液相堆积制备非晶态沸石咪唑酯骨架（aZIF）薄膜的方法，完结了薄膜堆积速率和厚度的可控，并进行了电子束光刻和逾越极紫外光刻验证。
7月28日，清华大学发布消息称，该校化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上获得重要开展，开宣布一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的要害材料供应了新的规划战略。
概念股成果向好
上市公司方面，EUV光刻胶有多家公司初步研讨。上海新阳在2023年发布了“一种EUV光刻胶及其制备方法和运用”的专利，公司在2024年度成果阐明会上标明，EUV光刻胶是公司光刻胶布局的重要研制方向之一，现在还在研制的初期阶段。
瑞联新材在投资者互动渠道标明，公司EUV光刻胶单体产品中试批次现已经过客户验证，并且有百公斤级的出售。
久日新材在投资者互动渠道标明，公司正在进行KrF、ArF、EUV光刻胶所需原材料光致产酸剂产品的开发。
A股中，光刻胶相关概念股有20余只，截至10月26日，已有6家公司发布三季报数据，成果全部向好。
晶瑞电材前三季度归母净利润1.28亿元，同比增长超192倍，公司标明首要系产品毛利上涨，买卖性金融资产价格不坚定所造成的。
久日新材前三季度归母净利润271.98万元，同比扭亏。公司标明，陈述期内稳步完结了部分光引发剂产品涨价战略落地。
艾森股份前三季度归母净利润为3448万元，同比上升44.7%，陈述期内公司下流终端需求的持续增长，公司经营收入同比稳健增长。
